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書き込み速度約1万倍の次世代メモリー開発へ!

PC
10 /13 2010
やがては今とは比にならないような高速メモリーをPCに搭載するときが来るのでしょうか?

Writeが約1万倍且つ待機電力ほぼ0のメモリー開発へ

書き込み速度が約1万倍の「次世代メモリー」開発へ、待機時の消費電力もほぼゼロに

現在のNAND型フラッシュメモリと比べ約1万倍高速に書き込みが可能なメモリーの開発がスタートするようです。

ここで、~NAND型フラッシュメモリとは~

不揮発性記憶素子のフラッシュメモリの一種である。1987年に東芝に在籍していた舛岡富士雄が発明した。
NOR型フラッシュメモリと比べて回路規模が小さく、安価に大容量化できる。また書き込みや消去も高速であるが、バイト単位の書き替え動作は不得手である。従来のフロッピーディスクに代わるPC用のUSBメモリやSSD、デジタルカメラ用のメモリーカード、携帯音楽プレーヤー、携帯電話などの記憶装置として使用される。


要するに、最近話題のSSD、USBメモリ、MS・SDなどのメモリーカード等ということです。


これらにかわるメモリを共同開発しようとするのがエルピーダメモリ・シャープ・東京大学などだそうです。
エルピーダ、シャープや東大らと次世代メモリー開発

 エルピーダメモリとシャープ、東京大学などが、書き込み時間が大幅に短縮できる次世代メモリーを共同開発することが14日、わかった。平成25年の実用化を目指す
 エルピーダなどが開発を始めるのは、消費電力が少ないとされる抵抗変化式メモリー(ReRAM)。携帯情報端末などに使われているNAND型フラッシュメモリーの約1万倍の速さで情報を書き込むことができる。
 実用化されれば、携帯電話でフルハイビジョンの映画を数秒でダウンロードすることができ、待機時の使用電力もほぼゼロになるという。
 ReRAMは、シャープが材料技術や製造方法の研究を進めており、エルピーダのメモリー加工技術を組み合わせ、競争が激化する次世代メモリーの開発に着手する。東大や独立行政法人の産業技術総合研究所、半導体製造装置メーカーも参加し、25年に量産化を始める。


おー、先日の低電力で超高速!なPCが実現?トポロジカル絶縁体なるものが発見される!の記事に続き、日本の技術力が更に世界にとって必要不可欠となる時が来るのでしょうか?

日本の技術を結集させ、世界1になることをみなさんも祈りましょう!



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コメント

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K

覚え書き程度のブログですが、
細々と書こうと思います。
人生ソロプレイ中です。
偶にソロではなくなります。

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